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  晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開(kāi)拓者程凱博士于2012年3月回國(guó)創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國(guó)際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠(chǎng)商，技術(shù)實(shí)力處于國(guó)際領(lǐng)先地位。

在公司發(fā)展過(guò)程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過(guò)多項(xiàng)第一。2014年底，晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶(hù)驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。經(jīng)過(guò)多年的專(zhuān)注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過(guò)與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶(hù)建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國(guó)際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。

晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有完全獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國(guó)內(nèi)外累計(jì)申請(qǐng)超700項(xiàng)專(zhuān)利，其中已獲得超175項(xiàng)專(zhuān)利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、蘇州工業(yè)園區(qū)專(zhuān)利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識(shí)產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎(jiǎng)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專(zhuān)利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專(zhuān)利、蘇州市優(yōu)秀專(zhuān)利獎(jiǎng)、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值。